BSB056N10NN3 G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | BSB056N10NN3 G |
| Description | --- |
فروشنده های BSB056N10NN3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات BSB056N10NN3 G
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies BSB056N10NN3 G
- Power Dissipation (Pd) 2.8W
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Continuous Drain Current (Id) 9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V@100uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 5.6mΩ@10V,30A
- Package MG-WDSON-2
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های BSB056N10NN3 G
فروشگاهی یافت نشد