دیتاشیت IRG7PH35UD-EP

IRG7PH35UD-EP

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRG7PH35UD-EP
حجم فایل 100.745 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت IRG7PH35UD-EP

IRG7PH35UD-EP Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: Trench
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRG7PH35UD-EP
  • Operating Temperature: 55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 50A
  • Power Dissipation (Pd): 180W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 30ns
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 1.06mJ
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 85nC
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 160ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 60A
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 105ns
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1200V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 2.2V@15V,20A
  • Package: TO-247-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه