IRG7PH35UD-EP
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IRG7PH35UD-EP |
| Description | --- |
فروشنده های IRG7PH35UD-EP
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IRG7PH35UD-EP
- RoHS true
- Type Trench
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
- Datasheet Infineon Technologies IRG7PH35UD-EP
- Operating Temperature 55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 50A
- Power Dissipation (Pd) 180W
- Turn?on Delay Time (Td(on)) 30ns
- Turn?on Switching Loss (Eon) 1.06mJ
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) 85nC
- Turn?off Delay Time (Td(off)) 160ns
- Pulsed Collector Current (Icm) 60A
- Diode Reverse Recovery Time (Trr) 105ns
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 1200V
- Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) 2.2V@15V,20A
- Package TO-247-3
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IRG7PH35UD-EP
فروشگاهی یافت نشد