- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB039N10N3 G E8187 |
|---|---|
| حجم فایل | 54.846 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPB039N10N3 G E8187 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB039N10N3 G
- Power Dissipation (Pd): 214W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 160A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@160uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.9mΩ@10V,100A
- Package: TO-263-6
- Manufacturer: Infineon Technologies
