IPB039N10N3 G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB039N10N3 G |
| Description | --- |
فروشنده های IPB039N10N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB039N10N3 G
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB039N10N3 G
- Power Dissipation (Pd) 214W
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Continuous Drain Current (Id) 160A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V@160uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.9mΩ@10V,100A
- Package TO-263-6
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB039N10N3 G
فروشگاهی یافت نشد