SGM40HF12A1TFD دیتاشیت

SGM40HF12A1TFD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SGM40HF12A1TFD
حجم فایل 63.862 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت SGM40HF12A1TFD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: IGBT Modules
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 40A
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 425ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 6.58nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 9.3mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 2.6V@40A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 413nC@40A,±15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 611ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 80A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 2.2mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 117ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 1mA@1.2kV
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1.2kV
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5.5V@250uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 2.6V@20A,15V
  • Package: -
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه