SGM40HF12A1TFD

SGM40HF12A1TFD

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer Hangzhou Silan Microelectronics
Package ---
Datasheet SGM40HF12A1TFD
Description ---

sellers SGM40HF12A1TFD

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type IGBT Modules
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD
  • Operating Temperature -40°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 40A
  • Power Dissipation (Pd) -
  • Turn?on Delay Time (Td(on)) 425ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce) 6.58nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon) 9.3mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If) 2.6V@40A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) 413nC@40A,±15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)) 611ns
  • Pulsed Collector Current (Icm) 80A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff) 2.2mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr) 117ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce) 1mA@1.2kV
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) 1.2kV
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) 5.5V@250uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge) 2.6V@20A,15V
  • Package -
  • Manufacturer Hangzhou Silan Microelectronics

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد