CSD19531Q5AT دیتاشیت

CSD19531Q5AT

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CSD19531Q5AT
حجم فایل 86.947 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت CSD19531Q5AT

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Texas Instruments CSD19531Q5AT
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.3W;125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 48nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3870pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.4mΩ@16A,10V
  • Package: VSONP-8
  • Manufacturer: Texas Instruments

محصولات مشابه