دیتاشیت IPB80N06S2-09
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB80N06S2-09 |
|---|---|
| حجم فایل | 63.229 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 8 |
دانلود دیتاشیت IPB80N06S2-09 |
IPB80N06S2-09 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB80N06S2-09
- Power Dissipation (Pd): 190W
- Drain Source Voltage (Vdss): 55V
- Continuous Drain Current (Id): 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@125uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.1mΩ@10V,50A
- Package: TO-263-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
