IPB80N06S2-09
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB80N06S2-09 |
| Description | --- |
فروشنده های IPB80N06S2-09
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB80N06S2-09
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB80N06S2-09
- Power Dissipation (Pd) 190W
- Drain Source Voltage (Vdss) 55V
- Continuous Drain Current (Id) 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@125uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 9.1mΩ@10V,50A
- Package TO-263-3
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB80N06S2-09
فروشگاهی یافت نشد