BC857BLT1G دیتاشیت

BC857BLT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC857BLT1G
حجم فایل 77.29 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت BC857BLT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BC856ALT1G Series 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BC857BLT1G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: BC857
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه