FDV302P دیتاشیت

FDV302P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDV302P
حجم فایل 47.973 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت FDV302P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDV302P 5 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDV302P
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 0.31nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 11pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 0.12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.4pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10Ω@4.5V,0.2A
  • Package: SOT-23

محصولات مشابه