MJD44H11, MJD45H11 دیتاشیت

MJD44H11, MJD45H11

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD44H11, MJD45H11
حجم فایل 93.654 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت MJD44H11, MJD45H11

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi MJD45H11T4G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 20W
  • Transition Frequency (fT): 90MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 60@2A,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1V@8A,0.4A
  • Package: TO-252-2(DPAK)