ST(B,P,W)33N60DM2 دیتاشیت

ST(B,P,W)33N60DM2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(B,P,W)33N60DM2
حجم فایل 934.888 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

دانلود دیتاشیت ST(B,P,W)33N60DM2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ DM2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • Base Part Number: STW33N
  • detail: N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247