Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F دیتاشیت

SVF12N65F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF12N65F
حجم فایل 58.967 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SVF12N65F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 640mΩ
  • Gate Charge(Qg): 33nC
  • Ciss-Input Capacitance: 1.39nF
  • Pd - Power Dissipation: 210W
  • Drain to Source Voltage: 650V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 4V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15pF
  • Package: TO-220F-3

محصولات مشابه