Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F

N-Channel 650V 12A 210W Through Hole TO-220F-3

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ---
Package ---
Datasheet SVF12N65F
Description ---

sellers Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F

فروشگاهی یافت نشد

مشخصات

  • Number 1 N-channel
  • RDS(on) 640mΩ
  • Gate Charge(Qg) 33nC
  • Ciss-Input Capacitance 1.39nF
  • Pd - Power Dissipation 210W
  • Drain to Source Voltage 650V
  • Operating Temperature - -55℃~+150℃
  • Current - Continuous Drain(Id) 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 4V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 15pF
  • Package TO-220F-3

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد