MMBTH10-4LT1G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Datasheet | NSV,S,MMBTH10L(4L) |
| Description | RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
فروشنده های MMBTH10-4LT1G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات MMBTH10-4LT1G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MMBTH10-4LT1G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) -
- Power Dissipation (Pd) 225mW
- Transition Frequency (fT) 800MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 120@4mA,10V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@4A,400mA
- Package SOT-23(TO-236)
- Manufacturer onsemi
- Series -
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
- Frequency - Transition 800MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f) -
- Gain -
- Power - Max 225mW
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 4mA, 10V
- Current - Collector (Ic) (Max) -
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
- Base Part Number MMBTH10
- detail RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
فروشنده های MMBTH10-4LT1G
فروشگاهی یافت نشد
