KSD2012GTU

KSD2012GTU

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-220-3 Full Pack
Datasheet KSD2012
Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 25W Through Hole TO-220F

sellers KSD2012GTU

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi KSD2012GTU
  • Transistor Type NPN
  • Collector Current (Ic) 3A
  • Power Dissipation (Pd) 25W
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
  • Package TO-220
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • Current - Collector (Ic) (Max) 3A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 5V
  • Power - Max 25W
  • Frequency - Transition 3MHz
  • Operating Temperature 150°C (TJ)
  • Mounting Type Through Hole
  • Package / Case TO-220-3 Full Pack
  • Supplier Device Package TO-220F
  • Base Part Number KSD2012
  • detail Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 25W Through Hole TO-220F

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد