FQA11N90-F109
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Datasheet | FQA11N90-F109 |
| Description | N-Channel 900V 11.4A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN |
فروشنده های FQA11N90-F109
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات FQA11N90-F109
- Manufacturer ON Semiconductor
- Series QFET®
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 960mOhm @ 5.7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
- Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-3PN
- Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
- Base Part Number FQA1
- detail N-Channel 900V 11.4A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
فروشنده های FQA11N90-F109
فروشگاهی یافت نشد
