NVB190N65S3F

NVB190N65S3F

NVB190N65S3F

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet NVB190N65S3F
Description N-Channel 650V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 (TO-263)

sellers NVB190N65S3F

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi NVB190N65S3F
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 162W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 34nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.605nF@400V
  • Continuous Drain Current (Id) 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@430uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 158mΩ@10V,10A
  • Package D2PAK
  • Manufacturer onsemi
  • Series Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 430µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605pF @ 400V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 162W (Tc)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package D2PAK-3 (TO-263)
  • Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number NVB190
  • detail N-Channel 650V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 (TO-263)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه