NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-247-4
Datasheet NVH4L080N120SC1
Description N-Channel 1200V 29A (Tc) 170mW (Tc) Through Hole TO-247-4

sellers NVH4L080N120SC1

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi NVH4L080N120SC1
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 170W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 56nC@-5V/20V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 1.2kV
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.112nF@800V
  • Continuous Drain Current (Id) 29A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.75V@5mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 6.5pF@800V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 80mΩ@20V,20A
  • Package TO-247-4
  • Manufacturer onsemi
  • Series Automotive, AEC-Q101
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 20V
  • Vgs (Max) +25V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 800V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 170mW (Tc)
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package TO-247-4
  • Package / Case TO-247-4
  • detail N-Channel 1200V 29A (Tc) 170mW (Tc) Through Hole TO-247-4

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه