NTH4L020N120SC1

NTH4L020N120SC1

NTH4L020N120SC1

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer ON Semiconductor
Package TO-247-4
Datasheet NTH4L020N120SC1
Description N-Channel 1200V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4

sellers NTH4L020N120SC1

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • Manufacturer ON Semiconductor
  • Series -
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 102A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 20V
  • Vgs (Max) +25V, -15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2943pF @ 800V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 510W (Tc)
  • Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package TO-247-4
  • Package / Case TO-247-4
  • detail N-Channel 1200V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه

HXY MOSFET NTH4L020N120SC1-HXY
HXY MOSFET NTH4L020N120SC1-HXY
بدون قیمت
ناموجود
ناموجود