FQB1P50TM

FQB1P50TM

FQB1P50TM

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet FQB1P50
Description P-Channel 500V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

sellers FQB1P50TM

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type P Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi FQB1P50TM
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 3.13W;63W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 270pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 6pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8Ω@10V,750mA
  • Package D2PAK
  • Manufacturer onsemi
  • Series QFET®
  • Packaging Cut Tape (CT)
  • Part Status Active
  • FET Type P-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
  • Mounting Type Surface Mount
  • Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
  • Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number FQB1
  • detail P-Channel 500V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه