BD809G

BD809G

BD809G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-220-3
Datasheet BD809,810
Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB

sellers BD809G

فروشگاهی یافت نشد

پالت

تغییرات قیمت

پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet onsemi BD809G
  • Transistor Type NPN
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic) 10A
  • Power Dissipation (Pd) 90W
  • Transition Frequency (fT) 1.5MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 15@4A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo) 1mA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.1V@3A,300mA
  • Package TO-220
  • Manufacturer onsemi
  • Series -
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • Current - Collector (Ic) (Max) 10A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 300mA, 3A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 1mA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V
  • Power - Max 90W
  • Frequency - Transition 1.5MHz
  • Mounting Type Through Hole
  • Package / Case TO-220-3
  • Supplier Device Package TO-220AB
  • Base Part Number BD809
  • detail Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه