FQPF7N80C
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | TO-220-3 Full Pack |
| Datasheet | FQP7N80C, FQPF7N80C |
| Description | N-Channel 800V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F |
فروشنده های FQPF7N80C
| قیمت | |||
| FQPF7N80C | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQPF7N80C | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FQPF7N80C
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FQPF7N80C
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 56W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 35nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 800V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 1680pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 6.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 1.9Ω@10V,3.3A
- Package TO-220F
- Manufacturer onsemi
- Series QFET®
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220F
- Package / Case TO-220-3 Full Pack
- Base Part Number FQPF7
- detail N-Channel 800V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F
فروشنده های FQPF7N80C
| قیمت | |||
| FQPF7N80C | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FQPF7N80C | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
