FCPF650N80Z

FCPF650N80Z

800V 8A 30.5W 650mΩ@10V,4A N Channel TO-220 MOSFETs ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer onsemi
Package TO-220-3 Full Pack
Datasheet FCPF650N80Z
Description N-Channel 800V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F

sellers FCPF650N80Z

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet onsemi FCPF650N80Z
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 30.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 35nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 1565pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id) 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4.5V@800uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 650mΩ@10V,4A
  • Package TO-220
  • Manufacturer onsemi
  • Series SuperFET® II
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1565pF @ 100V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 30.5W (Tc)
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package TO-220F
  • Package / Case TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number FCPF650
  • detail N-Channel 800V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه