IXFP4N100Q
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | IXYS |
| Package | TO-220-3 |
| Datasheet | IXF(A,P)4N100Q |
| Description | N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
فروشنده های IXFP4N100Q
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات IXFP4N100Q
- Manufacturer IXYS
- Series HiPerFET™
- Packaging Tube
- Part Status Not For New Designs
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
- Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-220AB
- Package / Case TO-220-3
- detail N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
فروشنده های IXFP4N100Q
فروشگاهی یافت نشد
