SCT20N120

SCT20N120

1.2kV 20A 175W 290mΩ@20V,10A N Channel HiP-247 MOSFETs ROHS

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer STMicroelectronics
Package TO-247-3
Datasheet SCT20N120
Description N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™

sellers SCT20N120

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet STMicroelectronics SCT20N120
  • Operating Temperature -55°C~+200°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 175W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 45nC@20V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 1.2kV
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 650pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id) 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 290mΩ@20V,10A
  • Package HiP-247
  • Manufacturer STMicroelectronics
  • Series -
  • Packaging Tube
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 20V
  • Vgs (Max) +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 400V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package HiP247™
  • Package / Case TO-247-3
  • Base Part Number SCT20
  • detail N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه