VN2210N3-G

VN2210N3-G

VN2210N3-G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer Microchip Tech
Package TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datasheet VN2210 Datasheet
Description N-Channel 100V 1.2A (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3

sellers VN2210N3-G

فروشگاهی یافت نشد

پالت
مقالات مرتبط در سیسوگ
  • معرفی و مقایسه کنسانتراتورها و ترانسیورهای LoRaWAN در نسل‌های مختلف
    معرفی و مقایسه کنسانتراتورها و ترانسیورهای LoRaWAN در نسل‌های مختلف
  • راه‌اندازی LEDهای توان‌بالا + تنظیم رنگ یک LED
    راه‌اندازی LEDهای توان‌بالا + تنظیم رنگ یک LED
  • Goto در آردوینو
    Goto در آردوینو
  • تشخیص افراد با استفاده از سیگنال wifi
    تشخیص افراد با استفاده از سیگنال wifi
  • NB-IOT + GPRS-2G نوشداروی صنعت IOT ایران
    NB-IOT + GPRS-2G نوشداروی صنعت IOT ایران
  • چگونه دستگاه cnc بسازیم؟
    چگونه دستگاه cnc بسازیم؟
  • چالش تولید رنگ زرد با LED های سبز و قرمز - آموزش رزبری پای با پایتون – قسمت چهارم –
    چالش تولید رنگ زرد با LED های سبز و قرمز - آموزش رزبری پای با پایتون – قسمت چهارم –
  • دانلود وبینار شرکت کویکتل Quectel با موضوع NB-IOT
    دانلود وبینار شرکت کویکتل Quectel با موضوع NB-IOT
  • ساخت آیفون تصویری – قسمت دوم
    ساخت آیفون تصویری – قسمت دوم
  • معرفی قطعه جدید شرکت Espressif: میکروکنترلر ESP32-C5
    معرفی قطعه جدید شرکت Espressif: میکروکنترلر ESP32-C5
پالت

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet Microchip Tech VN2210N3-G
  • Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 740mW
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 500pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 1.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.4V@10mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@4A,10V
  • Package TO-92
  • Manufacturer Microchip Tech
  • Series -
  • Packaging Bulk
  • Part Status Active
  • FET Type N-Channel
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 10mA
  • Vgs (Max) ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
  • FET Feature -
  • Power Dissipation (Max) 740mW (Tc)
  • Mounting Type Through Hole
  • Supplier Device Package TO-92-3
  • Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • detail N-Channel 100V 1.2A (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه