LND150N3-G-P003
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Microchip Technology |
| Package | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Datasheet | LND150 |
| Description | N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
فروشنده های LND150N3-G-P003
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات LND150N3-G-P003
- Manufacturer Microchip Technology
- Series -
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30mA (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
- Vgs(th) (Max) @ Id -
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 25V
- FET Feature Depletion Mode
- Power Dissipation (Max) 740mW (Ta)
- Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-92-3
- Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- detail N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
فروشنده های LND150N3-G-P003
فروشگاهی یافت نشد
