PBSS8110S,126

PBSS8110S,126

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer NXP USA Inc.
Package TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Datasheet PBSS8110S
Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3

sellers PBSS8110S,126

فروشگاهی یافت نشد

مشخصات

  • Manufacturer NXP USA Inc.
  • Series -
  • Packaging Tape & Box (TB)
  • Part Status Obsolete
  • Transistor Type NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max) 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 250mA, 10V
  • Power - Max 830mW
  • Frequency - Transition 100MHz
  • Operating Temperature 150°C (TJ)
  • Mounting Type Through Hole
  • Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Supplier Device Package TO-92-3
  • Base Part Number PBSS8
  • detail Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد