HYG006N04LS1TA
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | HUAYI |
| Package | --- |
| Datasheet | HYG006N04LS1TA |
| Description | --- |
فروشنده های HYG006N04LS1TA
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات HYG006N04LS1TA
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet HUAYI HYG006N04LS1TA
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 428W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 230nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 40V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 15400pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 600A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 115pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 0.45mΩ@10V,80A
- Package TOLL
- Manufacturer HUAYI
فروشنده های HYG006N04LS1TA
فروشگاهی یافت نشد
