IPB090N06N3 G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPB090N06N3 G |
| Description | --- |
فروشنده های IPB090N06N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB090N06N3 G
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB090N06N3 G
- Power Dissipation (Pd) 71W
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Continuous Drain Current (Id) 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@34uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 9mΩ@10V,50A
- Package TO-263-3
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB090N06N3 G
فروشگاهی یافت نشد