MJD200G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | MJD200G |
| Description | --- |
sellers MJD200G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi MJD200G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 5A
- Power Dissipation (Pd) 1.4W
- Transition Frequency (fT) 65MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 45@2A,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.8V@1A,5A
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد