NJVMJD31CT4G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | NJVMJD31CT4G |
| Description | --- |
فروشنده های NJVMJD31CT4G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات NJVMJD31CT4G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi NJVMJD31CT4G
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -65°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 3A
- Power Dissipation (Pd) 1.56W
- Transition Frequency (fT) 3MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 25@1A,4V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 50uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1.2V@3A,375mA
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
فروشنده های NJVMJD31CT4G
فروشگاهی یافت نشد