SIHD12N50E-GE3
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Vishay Intertech |
| Package | --- |
| Datasheet | SIHD12N50E-GE3 |
| Description | --- |
sellers SIHD12N50E-GE3
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Vishay Intertech SIHD12N50E-GE3
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Ta)
- Power Dissipation (Pd) 114W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 50nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 550V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 886pF@100V
- Continuous Drain Current (Id) 10.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 380mΩ@10V,6A
- Package TO-252
- Manufacturer Vishay Intertech
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد
