HYG080NH03LR1C1
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | HUAYI |
| Package | --- |
| Datasheet | HYG080NH03LR1C1 |
| Description | --- |
sellers HYG080NH03LR1C1
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Type 2 N-Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet HUAYI HYG080NH03LR1C1
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 21.4W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 16nC@10V;23.2nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 709.1pF@25V;966pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 31A;33A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA;1.7V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 70.7pF@25V;101pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8.8mΩ@10V,10A;7.3mΩ@10V,10A
- Package DFN-8(3x3)
- Manufacturer HUAYI
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد