MMBT5551-7-F
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBT5551-7-F |
| Description | --- |
فروشنده های MMBT5551-7-F
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات MMBT5551-7-F
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Diodes Incorporated MMBT5551-7-F
- Transistor Type NPN
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 600mA
- Power Dissipation (Pd) 300mW
- Transition Frequency (fT) 300MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 500nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- Package SOT-23
- Manufacturer Diodes Incorporated
فروشنده های MMBT5551-7-F
فروشگاهی یافت نشد