HYG082N03LR1C1

HYG082N03LR1C1

HYG082N03LR1C1

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer HUAYI
Package ---
Datasheet HYG082N03LR1C1
Description ---

sellers HYG082N03LR1C1

فروشگاهی یافت نشد

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

تغییرات قیمت

انجمن تخصصی برق و الکترونیک سیسوگ

مشخصات

  • RoHS true
  • Type N Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet HUAYI HYG082N03LR1C1
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 21.4W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 14.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 787pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id) 32A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 65pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 7mΩ@10V,10A
  • Package DFN-8(3x3)
  • Manufacturer HUAYI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد

محصولات مشابه