HYG200P10LR1P

HYG200P10LR1P

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer HUAYI
Package ---
Datasheet HYG200P10LR1P
Description ---

sellers HYG200P10LR1P

فروشگاهی یافت نشد

تغییرات قیمت

مشخصات

  • RoHS true
  • Type P Channel
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet HUAYI HYG200P10LR1P
  • Operating Temperature +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 214W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 83nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 11.52nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id) 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 91pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 20mΩ@10V,40A
  • Package TO-220
  • Manufacturer HUAYI

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد