NJVMJD45H11T4G
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | onsemi |
| Package | --- |
| Datasheet | NJVMJD45H11T4G |
| Description | --- |
فروشنده های NJVMJD45H11T4G
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات NJVMJD45H11T4G
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet onsemi NJVMJD45H11T4G
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 8A
- Power Dissipation (Pd) 1.75W
- Transition Frequency (fT) 90MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 60@2A,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 1uA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 1V@400mA,8A
- Package TO-252
- Manufacturer onsemi
فروشنده های NJVMJD45H11T4G
فروشگاهی یافت نشد