MTD20N06HDLT4G-VB
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | VBsemi Elec |
| Package | --- |
| Datasheet | MTD20N06HDLT4G-VB |
| Description | --- |
فروشنده های MTD20N06HDLT4G-VB
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات MTD20N06HDLT4G-VB
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet VBsemi Elec MTD20N06HDLT4G-VB
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 100W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 11nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 670pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 35A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 60pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,15A
- Package TO-252
- Manufacturer VBsemi Elec
فروشنده های MTD20N06HDLT4G-VB
فروشگاهی یافت نشد