2DB1132R-13
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package | --- |
| Datasheet | 2DB1132R-13 |
| Description | --- |
sellers 2DB1132R-13
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet Diodes Incorporated 2DB1132R-13
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 1A
- Power Dissipation (Pd) 1W
- Transition Frequency (fT) 190MHz
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 180@100mA,3V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 500nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 32V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 500mV@50mA,500mA
- Package SOT-89-3
- Manufacturer Diodes Incorporated
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد