IPB031NE7N3 G

IPB031NE7N3 G

در 0 فروشگاه

قیمت هنوز مشخص نشده است

این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!

مشخصات فنی:
Manufacturer Infineon Technologies
Package ---
Datasheet IPB031NE7N3 G
Description ---

sellers IPB031NE7N3 G

فروشگاهی یافت نشد

مشخصات

  • RoHS true
  • Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet Infineon Technologies IPB031NE7N3 G
  • Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd) 214W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs) 117nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss) 75V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds) 8130pF@37.5V
  • Continuous Drain Current (Id) 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.8V@155uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3.1mΩ@100A,10V
  • Package TO-263
  • Manufacturer Infineon Technologies

فروشنده ها

فروشگاهی یافت نشد