HYG025N06LS1B
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | HUAYI |
| Package | --- |
| Datasheet | HYG025N06LS1B |
| Description | --- |
sellers HYG025N06LS1B
فروشگاهی یافت نشد
تغییرات قیمت
مشخصات
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet HUAYI HYG025N06LS1B
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 125W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 27.7nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 3.915nF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 160A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 10.2pF@25V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 2.5mΩ@10V,40A
- Package TO-263
- Manufacturer HUAYI
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد