MMBT9012G-I-AE3-R
در 0 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | UTC(Unisonic Tech) |
| Package | --- |
| Datasheet | MMBT9012G-I-AE3-R |
| Description | --- |
فروشنده های MMBT9012G-I-AE3-R
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات MMBT9012G-I-AE3-R
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet UTC(Unisonic Tech) MMBT9012G-I-AE3-R
- Transistor Type PNP
- Operating Temperature +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic) 500mA
- Power Dissipation (Pd) 225mW
- Transition Frequency (fT) -
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 190@50mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 180mV@500mA,50mA
- Package SOT-23
- Manufacturer UTC(Unisonic Tech)
فروشنده های MMBT9012G-I-AE3-R
فروشگاهی یافت نشد
