IPP086N10N3 G
در 0 فروشگاه
قیمت هنوز مشخص نشده است
این محصول در حال حاضر فروشنده ای ندارد!
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package | --- |
| Datasheet | IPP086N10N3 G |
| Description | --- |
sellers IPP086N10N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات
- RoHS true
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPP086N10N3 G
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 125W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 55nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 3980pF@50V
- Continuous Drain Current (Id) 80A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3.5V@75uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 8.6mΩ@73A,10V
- Package TO-220
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده ها
فروشگاهی یافت نشد