IPB083N10N3G دیتاشیت

IPB083N10N3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB083N10N3G
حجم فایل 75.442 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت IPB083N10N3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP086N10N3 G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 55nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3980pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@75uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.6mΩ@73A,10V
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه