FDC658P
در 2 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | onsemi |
| Package | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Datasheet | FDC658P |
| Description | P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 |
فروشنده های FDC658P
| قیمت | |||
| FDC658P | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDC658P | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات FDC658P
- RoHS true
- Type P Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet onsemi FDC658P
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 1.6W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 12nC@5V
- Drain Source Voltage (Vdss) 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 750pF@15V
- Continuous Drain Current (Id) 4A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 50mΩ@4A,10V
- Package TSOT-23-6
- Manufacturer onsemi
- Series PowerTrench®
- Packaging Cut Tape (CT)
- Part Status Active
- FET Type P-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
- Vgs (Max) ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
- Mounting Type Surface Mount
- Supplier Device Package SuperSOT™-6
- Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Base Part Number FDC658
- detail P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
فروشنده های FDC658P
| قیمت | |||
| FDC658P | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| FDC658P | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
