IXTQ50N25T
در 3 فروشگاه قیمت هنوز مشخص نشده است
| Manufacturer | IXYS |
| Package | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Datasheet | IXT(A,H,P,Q)50N25T |
| Description | --- |
فروشنده های IXTQ50N25T
| قیمت | |||
| IXTQ50N25T | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTQ50N25T | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTQ50N25T | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
تغییرات قیمت
مشخصات IXTQ50N25T
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Littelfuse/IXYS IXTQ50N25T
- Operating Temperature -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 400W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 78nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 250V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 4000pF@25V
- Continuous Drain Current (Id) 50A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,25A
- Package TO-3P-3
- Manufacturer IXYS
- Series -
- Packaging Tube
- Part Status Active
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
- Vgs (Max) ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
- FET Feature -
- Power Dissipation (Max) 400W (Tc)
- Mounting Type Through Hole
- Supplier Device Package TO-3P
- Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
فروشنده های IXTQ50N25T
| قیمت | |||
| IXTQ50N25T | بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTQ50N25T | ناموجود بدون قیمت قیمت محصولات این فروشگاه بروز نشده است! |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
|
| IXTQ50N25T | ناموجود بدون قیمت |
خرید اینترنتی
آخرین تغییر قیمت فروشگاه:
|
